據(jù)CNMO了解，近日有韓媒發(fā)文指出，三星代工廠(chǎng)目前主要面臨產(chǎn)量和能效的問(wèn)題。

今年全球無(wú)晶圓廠(chǎng)半導(dǎo)體及IT大廠(chǎng)將開(kāi)始采用3nm制程作為主要制程，預(yù)計(jì)大部分大廠(chǎng)訂單將分配給臺(tái)積電，這有可能導(dǎo)致臺(tái)積電與三星電子的市占率差距進(jìn)一步拉大。業(yè)界消息人士透露，英偉達(dá)、AMD、英特爾、高通、聯(lián)發(fā)科、蘋(píng)果、谷歌等7家公司已優(yōu)先采用臺(tái)積電3nm工藝。據(jù)悉，經(jīng)過(guò)深思熟慮，三星代工部門(mén)一直想爭(zhēng)取的谷歌和高通最終還是選擇了臺(tái)積電。

韓媒稱(chēng)，盡管三星3年前宣布開(kāi)始量產(chǎn)3nm工藝，但在爭(zhēng)取客戶(hù)方面仍面臨困難。2022年6月，三星在業(yè)界率先將3nm柵極環(huán)繞 (GAA) 工藝應(yīng)用于量產(chǎn)。然而，第一代3nm節(jié)點(diǎn) (SF3E) 在良率和能效方面的表現(xiàn)一直低于預(yù)期，僅在加密貨幣挖礦等小眾市場(chǎng)得到采用。此外，據(jù)報(bào)道，三星系統(tǒng)LSI部門(mén)開(kāi)發(fā)、采用三星代工廠(chǎng)3nm工藝生產(chǎn)的Exynos 2500的良率也令人失望。

有業(yè)內(nèi)專(zhuān)家指出，三星代工廠(chǎng)3nm工藝的主要問(wèn)題在于良率低和能效低。分析顯示，三星非常注重控制功耗和發(fā)熱量，但其性能仍比臺(tái)積電低10%-20%。隨著AI服務(wù)在移動(dòng)和服務(wù)器市場(chǎng)的擴(kuò)張，芯片功耗效率已成為一個(gè)關(guān)鍵因素。

相關(guān)報(bào)道

某全球大型晶圓代工企業(yè)負(fù)責(zé)人表示：“大客戶(hù)選擇臺(tái)積電的主要原因，在于兩家公司在尖端工藝下提供的芯片功效存在差異。”盡管臺(tái)積電3nm芯片的生產(chǎn)成本較5nm芯片高出25%以上，但客戶(hù)選擇臺(tái)積電，是因?yàn)槿窃谛阅苌洗嬖陲@著差異。

韓媒表示，從2nm工藝開(kāi)始，三星將通過(guò)引入背面供電 (BSPDN) 技術(shù)大幅改善功效問(wèn)題，將其定位為代工行業(yè)的“游戲規(guī)則改變者”。三星最初計(jì)劃在2027年后實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，現(xiàn)已決定加快采用該技術(shù)，目標(biāo)是在明年或2026年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)2nm工藝。